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2.1　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總體分析
2.1.1　市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模
2.1.2　收入增長(zhǎng)結(jié)構(gòu)
2.1.3　產(chǎn)業(yè)研發(fā)支出
2.1.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
2.2　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)政策驅(qū)動(dòng)因素分析
2.2.1　《中國(guó)制造2025》相關(guān)政策
2.2.2　集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策
2.2.3　集成電路企業(yè)稅收政策
2.2.4　國(guó)家產(chǎn)業(yè)基金發(fā)展支持
2.3　中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
2.3.2　產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模
2.3.3　區(qū)域分布情況
2.3.4　自主創(chuàng)新發(fā)展
2.3.5　發(fā)展機(jī)會(huì)分析
2.4　中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問(wèn)題分析
2.4.1　產(chǎn)業(yè)技術(shù)落后
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境
2.4.3　市場(chǎng)壟斷困境
2.5　中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議分析
2.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略
2.5.2　產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化發(fā)展
2.5.3　加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新
2.5.4　突破壟斷策略

3.1　功率半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析
3.1.1　價(jià)值鏈核心環(huán)節(jié)
3.1.2　設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的發(fā)展價(jià)值
3.1.3　價(jià)值鏈競(jìng)爭(zhēng)形勢(shì)分析
3.2　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體結(jié)構(gòu)
3.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖
3.2.2　相關(guān)上市公司
3.3　功率半導(dǎo)體上游領(lǐng)域分析
3.3.1　上游材料領(lǐng)域
3.3.2　上游設(shè)備領(lǐng)域
3.3.3　重點(diǎn)行業(yè)分析
3.3.4　上游相關(guān)企業(yè)
3.4　功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域分析
3.4.1　主要應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.2　創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.3　下游相關(guān)企業(yè)

4.1　全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.1.1　發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素
4.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.1.3　細(xì)分市場(chǎng)占比
4.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.1.5　應(yīng)用領(lǐng)域狀況
4.1.6　廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
4.2　中國(guó)功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.2.1　行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.2.4　支持基金分布
4.2.5　企業(yè)研發(fā)狀況
4.2.6　下游應(yīng)用狀況
4.3　國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
4.3.1　碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測(cè)項(xiàng)目
4.3.2　揚(yáng)杰功率半導(dǎo)體芯片封測(cè)項(xiàng)目
4.3.3　臺(tái)芯科技大功率半導(dǎo)體IGBT模塊項(xiàng)目
4.3.4　露笑科技第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.3.5　12英寸車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.3.6　富能功率半導(dǎo)體8英寸項(xiàng)目
4.4　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
4.4.1　行業(yè)發(fā)展困境
4.4.2　行業(yè)發(fā)展建議

5.1　MOSFET產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
5.1.1　MOSFET主要類(lèi)型
5.1.2　MOSFET發(fā)展歷程
5.1.3　MOSFET產(chǎn)品介紹
5.2　MOSFET市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r分析
5.2.1　行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
5.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
5.2.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
5.2.5　價(jià)格變動(dòng)影響
5.3　MOSFET產(chǎn)業(yè)分層次發(fā)展情況分析
5.3.1　分層情況
5.3.2　低端層次
5.3.3　中端層次
5.3.4　高端層次
5.3.5　對(duì)比分析
5.4　MOSFET主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.4.1　應(yīng)用領(lǐng)域介紹
5.4.2　下游行業(yè)分析
5.4.3　需求動(dòng)力分析
5.5　MOSFET市場(chǎng)前景展望及趨勢(shì)分析
5.5.1　市場(chǎng)空間測(cè)算
5.5.2　長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)

6.1　全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.1.1　行業(yè)發(fā)展歷程
6.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.1.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.1.4　下游應(yīng)用占比
6.2　中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.2.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.2.2　商業(yè)模式分析
6.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.2.4　企業(yè)技術(shù)布局
6.2.5　應(yīng)用領(lǐng)域分布
6.3　IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
6.3.1　國(guó)際IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)分布
6.3.2　國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)分析
6.3.3　國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈配套問(wèn)題
6.4　IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.4.1　工業(yè)控制領(lǐng)域
6.4.2　家電領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.3　新能源發(fā)電領(lǐng)域
6.4.4　新能源汽車(chē)
6.4.5　軌道交通
6.5　IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇及前景展望
6.5.1　國(guó)產(chǎn)發(fā)展機(jī)遇
6.5.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
6.5.3　發(fā)展前景展望

7.1　碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體
7.1.1　產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)分析
7.1.2　市場(chǎng)發(fā)展歷程
7.1.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
7.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.1.5　下游市場(chǎng)應(yīng)用
7.1.6　產(chǎn)品技術(shù)挑戰(zhàn)
7.1.7　未來(lái)發(fā)展展望
7.2　氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體
7.2.1　產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)分析
7.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
7.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.2.4　應(yīng)用領(lǐng)域分布
7.2.5　發(fā)展前景展望

8.1　功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展概況
8.1.1　技術(shù)演進(jìn)方式
8.1.2　技術(shù)演變歷程
8.1.3　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.2　國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　新型產(chǎn)品發(fā)展
8.2.2　區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.3　車(chē)規(guī)級(jí)技術(shù)發(fā)展
8.3　IGBT技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)分析
8.3.1　封裝技術(shù)分析
8.3.2　車(chē)用技術(shù)要求
8.3.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
8.4　車(chē)規(guī)級(jí)IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
8.4.1　技術(shù)難題與挑戰(zhàn)
8.4.2　車(chē)規(guī)級(jí)IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
8.4.3　車(chē)規(guī)級(jí)IGBT技術(shù)解決方案
8.5　車(chē)規(guī)級(jí)功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析
8.5.1　精細(xì)化技術(shù)
8.5.2　超結(jié)IGBT技術(shù)
8.5.3　高結(jié)溫終端技術(shù)
8.5.4　先進(jìn)封裝技術(shù)
8.5.5　功能集成技術(shù)

9.1　消費(fèi)電子領(lǐng)域
9.1.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模
9.1.2　產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成效
9.1.3　應(yīng)用潛力分析
9.2　傳統(tǒng)汽車(chē)電子領(lǐng)域
9.2.1　產(chǎn)業(yè)相關(guān)概述
9.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
9.2.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
9.2.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
9.2.5　應(yīng)用潛力分析
9.3　新能源汽車(chē)領(lǐng)域
9.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
9.3.2　器件應(yīng)用情況
9.3.3　應(yīng)用潛力分析
9.3.4　應(yīng)用價(jià)值對(duì)比
9.3.5　市場(chǎng)空間測(cè)算
9.4　工業(yè)控制領(lǐng)域
9.4.1　驅(qū)動(dòng)因素分析
9.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
9.4.3　核心領(lǐng)域發(fā)展
9.4.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
9.4.5　未來(lái)發(fā)展展望
9.5　家用電器領(lǐng)域
9.5.1　家電行業(yè)發(fā)展階段
9.5.2　家電行業(yè)運(yùn)行規(guī)模
9.5.3　變頻家電應(yīng)用需求
9.5.4　變頻家電銷(xiāo)售數(shù)量
9.5.5　變頻家電應(yīng)用前景
9.6　其他應(yīng)用領(lǐng)域
9.6.1　物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
9.6.2　新能源發(fā)電領(lǐng)域

10.1　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　產(chǎn)品發(fā)展路線
10.1.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.1.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.1.5　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.2　羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)（ROHM Semiconductor）
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.2.3　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.2.4　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.3　安森美半導(dǎo)體（On Semiconductor）
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　2018財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.3.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.3.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.4　意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics N.V.）
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　2018財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.4.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.4.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.5　德州儀器（Texas Instruments）
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　2018年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.5.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.5.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.6　高通（QUALCOMM, Inc.）
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.6.3　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.6.4　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

11.1　吉林華微電子股份有限公司
11.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
11.1.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
11.1.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.1.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.1.7　未來(lái)前景展望
11.2　湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
11.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
11.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
11.2.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.2.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.2.7　未來(lái)前景展望
11.3　杭州士蘭微電子股份有限公司
11.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
11.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
11.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.3.7　未來(lái)前景展望
11.4　江蘇捷捷微電子股份有限公司
11.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
11.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
11.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.4.6　未來(lái)前景展望
11.5　揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
11.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
11.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
11.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.5.7　未來(lái)前景展望

12.1　超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測(cè)項(xiàng)目
12.1.1　項(xiàng)目基本概況
12.1.2　項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度
12.1.3　項(xiàng)目投資概算
12.1.4　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.1.5　項(xiàng)目可行性分析
12.2　華潤(rùn)微功率半導(dǎo)體封測(cè)基地項(xiàng)目
12.2.1　項(xiàng)目基本概況
12.2.2　項(xiàng)目實(shí)施規(guī)劃
12.2.3　項(xiàng)目投資必要性
12.2.4　項(xiàng)目投資可行性
12.3　功率半導(dǎo)體“車(chē)規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
12.3.1　項(xiàng)目基本概況
12.3.2　項(xiàng)目投資概算
12.3.3　項(xiàng)目投資規(guī)劃
12.3.4　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.3.5　項(xiàng)目投資必要性
12.3.6　項(xiàng)目投資可行性
12.4　嘉興斯達(dá)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
12.4.1　項(xiàng)目基本概況
12.4.2　項(xiàng)目投資計(jì)劃
12.4.3　項(xiàng)目投資必要性
12.4.4　項(xiàng)目投資可行性

13.1　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘
13.1.1　技術(shù)壁壘
13.1.2　人才壁壘
13.1.3　資金壁壘
13.1.4　認(rèn)證壁壘
13.2　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
13.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.2.2　政策導(dǎo)向變化風(fēng)險(xiǎn)
13.2.3　中美貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)
13.2.4　國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
13.2.5　技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
13.2.6　行業(yè)利潤(rùn)變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.3　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資邏輯及建議
13.3.1　投資邏輯分析
13.3.2　投資方向建議
13.3.3　企業(yè)投資建議

14.1　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇分析
14.1.1　進(jìn)口替代機(jī)遇分析
14.1.2　能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機(jī)遇
14.1.3　終端應(yīng)用升級(jí)機(jī)遇
14.1.4　工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用機(jī)遇
14.1.5　汽車(chē)市場(chǎng)應(yīng)用機(jī)遇
14.2　功率半導(dǎo)體未來(lái)需求應(yīng)用場(chǎng)景
14.2.1　清潔能源行業(yè)的發(fā)展
14.2.2　新能源汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展
14.2.3　物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展
14.3　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
14.3.1　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)
14.3.2　晶圓供不應(yīng)求
14.4　 中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析

圖表1　半導(dǎo)體分類(lèi)結(jié)構(gòu)圖
圖表2　半導(dǎo)體分類(lèi)
圖表3　半導(dǎo)體分類(lèi)及應(yīng)用
圖表4　功率半導(dǎo)體器件的工作范圍
圖表5　手機(jī)中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用示意圖
圖表6　功率半導(dǎo)體性能要求
圖表7　功率半導(dǎo)體主要性能指標(biāo)
圖表8　功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品種類(lèi)
圖表9　MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表10　IGBT內(nèi)線結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)化的等效電路圖
圖表11　全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入及增速
圖表12　2020年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)結(jié)構(gòu)
圖表13　全球半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)支出及預(yù)測(cè)
圖表14　2020全球半導(dǎo)體廠商銷(xiāo)售額TOP10
圖表15　2020年全球半導(dǎo)體前十名銷(xiāo)售廠商區(qū)域分布
圖表16　《中國(guó)制造2025》半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表17　IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表18　《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)展目標(biāo)
圖表19　一期大基金投資各領(lǐng)域份額占比
圖表20　一期大基金投資領(lǐng)域及部分企業(yè)
圖表21　國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展階段
圖表22　國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要
圖表23　中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額及增速
圖表24　2019年全國(guó)主要省市集成電路產(chǎn)量
圖表25　2019年集成電路產(chǎn)量區(qū)域結(jié)構(gòu)圖
圖表26　2020年全國(guó)各省市集成電路產(chǎn)量排行榜
圖表27　2020年中國(guó)集成電路銷(xiāo)售區(qū)域分布
圖表28　功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)環(huán)節(jié)的主要作用
圖表29　提升各環(huán)節(jié)價(jià)值鏈占比的可能因素
圖表30　功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展驅(qū)動(dòng)力
圖表31　功率半導(dǎo)體廠商選擇IDM的優(yōu)勢(shì)
圖表32　功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈
圖表33　功率半導(dǎo)體相關(guān)上市公司
圖表34　我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)上游原材料構(gòu)成占比
圖表35　我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)上游設(shè)備國(guó)產(chǎn)化情況
圖表36　中國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模
圖表37　中國(guó)各尺寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能結(jié)構(gòu)圖
圖表38　中國(guó)從事半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)主要企業(yè)
圖表39　2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表40　2020年全球光刻機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局（按銷(xiāo)售數(shù)量）
圖表41　2020年全球光刻機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局（按銷(xiāo)售金額）
圖表42　中國(guó)光刻機(jī)相關(guān)領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)進(jìn)展情況
圖表43　我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)上游相關(guān)企業(yè)情況
圖表44　2019年中國(guó)半導(dǎo)體下游應(yīng)用占比
圖表45　創(chuàng)新應(yīng)用驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
圖表46　我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)下游相關(guān)企業(yè)情況
圖表47　功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素
圖表48　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表49　2019年全球功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模占比
圖表50　2018年全球功率分立器件及模塊主要廠商市場(chǎng)份額
圖表51　2019年全球功率器件主要廠商市場(chǎng)份額
圖表52　2019年全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)占比
圖表53　功率半導(dǎo)體廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
圖表54　中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)
圖表55　中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表56　2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體主要廠商營(yíng)收
圖表57　2019年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)
圖表58　功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域期刊文獻(xiàn)基金分布
圖表59　中國(guó)功率半導(dǎo)體主要廠商研發(fā)支出
圖表60　國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商研發(fā)人員數(shù)量
圖表61　2019年中國(guó)半導(dǎo)體下游應(yīng)用占比
圖表62　MOSFET的分類(lèi)方式
圖表63　不同類(lèi)型MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域
圖表64　MOSFET的發(fā)展演進(jìn)情況
圖表65　市場(chǎng)主流MOSFET產(chǎn)品介紹
圖表66　寬禁帶MOSTET應(yīng)用場(chǎng)景及性能分析
圖表67　全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表68　2019年全球MOSFET市場(chǎng)廠商市場(chǎng)份額排名
圖表69　2019年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)格局
圖表70　國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商的成本優(yōu)勢(shì)
圖表71　價(jià)格上漲對(duì)于MOSFET廠商的影響
圖表72　價(jià)格下跌對(duì)MOSFET廠商的影響
圖表73　功率MOSFET分層方式及其應(yīng)用情況
圖表74　低端功率MOSFET發(fā)展特點(diǎn)
圖表75　中端功率MOSFET發(fā)展特點(diǎn)
圖表76　高端功率MOSFET發(fā)展特點(diǎn)
圖表77　各層次功率MOSFET核心競(jìng)爭(zhēng)力對(duì)比分析
圖表78　功率半導(dǎo)體分類(lèi)維度及其對(duì)應(yīng)性能特點(diǎn)
圖表79　功率MOSFET主要下游行業(yè)及其代表性應(yīng)用
圖表80　數(shù)據(jù)中心功率傳輸路徑
圖表81　全球功率MOSFET市場(chǎng)空間測(cè)算
圖表82　汽車(chē)電子領(lǐng)域功率MOSFET特有認(rèn)證需求示意圖
圖表83　功率MOSFET市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化趨勢(shì)
圖表84　IGBT工藝技術(shù)發(fā)展史
圖表85　全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖表86　2019年全球IGBT分立器件主要廠商市場(chǎng)份額
圖表87　2019年全球IGBT模塊主要廠商市場(chǎng)份額
圖表88　2019年全球IPM主要廠商市場(chǎng)份額