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2025年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告（簡(jiǎn)版）

來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2025-06-19 09:03

半導(dǎo)體分立器件

4.企業(yè)布局情況

當(dāng)前頭部企業(yè)普遍采用IDM模式強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈控制力，聚焦車規(guī)級(jí)功率器件與第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）兩大核心賽道，通過(guò)12英寸晶圓產(chǎn)線建設(shè)與特色工藝研發(fā)突破技術(shù)壁壘。行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)從單一器件性能轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)解決方案能力，下游應(yīng)用加速向新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等高增長(zhǎng)領(lǐng)域滲透，同時(shí)依托國(guó)產(chǎn)替代政策窗口擴(kuò)大市場(chǎng)份額。未來(lái)技術(shù)制高點(diǎn)將集中于寬禁帶材料產(chǎn)業(yè)化與芯片-封裝協(xié)同優(yōu)化能力。

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

5.企業(yè)潛力排行

當(dāng)前行業(yè)在國(guó)產(chǎn)替代與新能源需求的雙重驅(qū)動(dòng)下加速分化，頭部企業(yè)通過(guò)垂直整合（如IDM模式）與第三代半導(dǎo)體技術(shù)（SiC/GaN）構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)壁壘。車規(guī)級(jí)認(rèn)證與光伏/儲(chǔ)能應(yīng)用成為核心增長(zhǎng)引擎，但高端IGBT及MOSFET領(lǐng)域仍面臨約40%的進(jìn)口依賴。未來(lái)，產(chǎn)能擴(kuò)張與良率提升的平衡、車規(guī)芯片可靠性驗(yàn)證及全球化合規(guī)能力將成為關(guān)鍵分水嶺，具備全棧技術(shù)自主化與生態(tài)協(xié)同能力的企業(yè)將主導(dǎo)市場(chǎng)重構(gòu)。