中商情報網訊：碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。碳化硅作為第三代化合物半導體，因其高禁帶寬度、電導率和熱導率而被認為是最適合用于高性能計算、新能源領域的理想材料。
一、碳化硅定義
碳化硅依據晶體結構（α/β型）、純度（工業(yè)級/電子級）、應用形態(tài)（單晶/多晶/纖維等）形成多維分類體系。β-SiC單晶憑借寬禁帶、高擊穿場強特性成為新型功率半導體襯底主流；多晶形態(tài)則在極端環(huán)境結構件領域不可替代；電子級高純材料（微管密度＜0.5/cm2）和纖維增強陶瓷構成高端應用的技術壁壘。當前產業(yè)迭代的關鍵在于6英寸向8英寸單晶襯底的量產突破與成本控制能力的競爭，驅動第三代半導體應用從新能源車、光伏逆變器向工業(yè)電機、數據中心電源擴展。
資料來源：中商產業(yè)研究院整理
二、碳化硅行業(yè)發(fā)展政策
近年來，中國碳化硅器件行業(yè)受到各級政府的高度重視和國家產業(yè)政策的重點支持。國家陸續(xù)出臺了多項政策，鼓勵碳化硅器件產業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《制造業(yè)可靠性提升實施意見》《關于推動能源電子產業(yè)發(fā)展的指導意見》等產業(yè)政策為碳化硅器件行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業(yè)提供了良好的生產經營環(huán)境。
資料來源：中商產業(yè)研究院整理
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